陶瓷瓷介电容性能特征

　瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（温度补偿型）和II型（高诱电型）。

　　I型（温度补偿型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。

　　II型（高诱电型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。

　　温度补偿型圆片高频瓷介电容

　　适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025绝缘电阻：10000mohm ）

　　允许偏差：5p（+-0.5p） 6-10p（+-1P） 10p以上（J,K,M）温度系数：-150--- -1000PPM/C环境温度：-25-125C 相对湿度：+40C时达96%

　　高诱型圆形瓷片低频电容：

　　环境温度：-25-85C 或125C相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101-472（+-10%） 472-403（+80-- -20%）

　　温度补偿型圆形瓷片电容：        

　　环境温度：-25-85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p（+-0.5p） 6-10p（+-1P） 10p以上（J,K,M）

　　温度系数：1-4P +120（+-60）PPM 4-56P –47（+-60）PPM

　　56-180P –750（+-250）PPM

　　180-390P –1300（+-250）PPM

　　430-820P –3300（+-500）PPM

　　半导体圆形瓷片电容：

　　环境温度：-25-85C及125C相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm

　　允差：+80 -20%容量：1000-47000p

　　工作电压：63v 试验电压：200v

　　独石瓷介电容器：

　　独石瓷介电容器

　　环境温度：-55-85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力666.6PA损耗《15*10（-4）容量：100-100000p工作电压：40v 试验电压：120v

　 独石瓷介电容器

　　环境温度：-55-85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力1000PA损耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作电压：40v-100v 试验电压：3UW允差：+80-20%

　　管形瓷介电容器

　　与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有谐振频率低，制造工艺复杂，产量低。

　　损耗《0.04绝缘电阻<1000mohm 试验电压：480v

　　使用条件：-55-85c相对湿度：40C时达98%

　　 超高频瓷介电容

　　可用于《500MHZ下，环境温度：-55-85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g冲击：加速度25g离心：加速度15g

　　允差：k容量：1-47p工作电压：500v

　　高压高功率瓷片电容：

　　环境温度：-25-85C 相对湿度：+40C时达98%大气 压力40000PA 震动：加速度15g冲击：加速度15g额定电压：1-4kv 试验电压：2.5-8kv允差：K,M

　鼓形高压低频瓷介电容器，该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量：470P工作电压：10KV 绝缘电阻：10000mohm

　　高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。容量：1000P 工作电压20KV（高频15KV） 额定无功功率：100KVA最大电流：25A